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金屬與陶瓷封接的關鍵性工藝技術

295 2021-10-09
陶瓷金屬化

                                                金屬與陶瓷封接的關鍵性工藝技術

金屬的熱膨脹系數(shù)較大、陶瓷的熱膨脹系數(shù)小,要實現(xiàn)封裝有一定的難度,隨著技術的成熟,金屬和陶瓷封接的關鍵性技術成熟。應用也更加廣泛,今天小編就來分享一下是什么關鍵詞技術實現(xiàn)陶瓷與金屬的封接成功。

一,陶瓷與金屬連接器件的市場應用

陶瓷與金屬的連接件在新能源汽車、電子電氣、半導體封裝和IGBT模塊等領域有著廣泛的應用,其產(chǎn)品主要有陶瓷結構件和陶瓷基板,因市場需求的增大和新材料的不斷涌現(xiàn),諸如陶瓷繼電器、陶瓷密封連接器、陶瓷基板等系列產(chǎn)品大規(guī)模實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,因此,具有高強度、高氣密性、高可靠性的陶瓷與金屬的封接工藝至關重要。

通訊高頻陶瓷基板.jpg

二,陶瓷與金屬封接離不開金屬化

高導熱陶瓷基板的應用離不開金屬化,在國際上,以德國賀利氏(Heraeus)集團公司為主生產(chǎn)高性能的DCB-Al2O3(直接鍵合銅的Al2O3陶瓷基板)和AMB-Si3N4(活性金屬釬焊工藝的Si3N4陶瓷基板)、日本京瓷(Kyocera)作為世界500強企業(yè)和全球最大的高技術陶瓷公司,代表產(chǎn)品有大功率的LED用陶瓷封裝殼等,這些都離不開陶瓷與金屬的封接。

三,陶瓷與金屬封接的技術難點

1、陶瓷的線膨脹系數(shù)小,而金屬的線膨脹系數(shù)相對很大,導致接縫開裂。一般要很好處理金屬中間層的熱應力問題。

2、陶瓷本身的熱導率低,耐熱沖擊能力弱。焊接時盡可能減小焊接部位及周圍的溫度梯度,焊后控制冷卻速度。

3、大部分陶瓷導電性差,甚至不導電,很難用電焊的方法。

4、由于陶瓷材料具有穩(wěn)定的電子配位,使得金屬與陶瓷連接不太可能。需對陶瓷金屬化處理或進行活性釬料釬焊。

5、由于陶瓷材料多為共價晶體,不易產(chǎn)生變形,經(jīng)常發(fā)生脆性斷裂。目前大多利用中間層降低焊接溫度,間接擴散法進行焊接。

6、陶瓷與金屬焊接的結構設計與普通焊接有所區(qū)別,通常分為平封結構、套封結構、針封結構和對封結構,其中套封結構效果最好,這些接頭結構制作要求都很高。

高頻陶瓷基板.jpg

      金屬與陶瓷封接的條件要求:

良好的陶瓷與金屬封接,其封接處應滿足如下要求: 

1.具有良好的真空氣密性,印使在高溫時也不應喪失;

2.具有一定的機械強度;

3.在長時間高于工作溫度的條件下,其電氣性能與機械性能應保持不變;

4.能承受住急劇的溫度變化;

5.工藝簡單,適于成批生產(chǎn);

6.封接處尺寸的公差應很小。

三,陶瓷金屬化機理和工藝流程

1,陶瓷金屬化機理

陶瓷金屬化的機理較為復雜,涉及到幾種化學和物理反應、物質的塑性流動、顆粒重排等。金屬化層中的氧化物、非金屬氧化物等各種物質在不同燒結階段中發(fā)生不同的化學反應和物質擴散遷移。隨溫度的升高,各物質發(fā)生反應形成中間化合物,達到共同的熔點時形成液相,液態(tài)的玻璃相有一定的粘性,同時產(chǎn)生塑性流動,之后顆粒在毛細管的作用下發(fā)生重排,在表面能的驅動下原子或分子發(fā)生擴散遷移,晶粒長大,氣孔逐漸縮小并且消失,達到金屬化層的致密化。

2,陶瓷金屬化工藝

陶瓷金屬化的工藝流程包括:

第一步:基體預處理。采用金剛石研磨膏將無壓燒結的陶瓷拋至光學平滑,保證表面粗糙度≤1.6m,將基材放入丙酮、酒精中,超聲波常溫清洗20min。

第二步:金屬化漿料配制。按照金屬化配方稱量原料,球磨一定時間后制成一定粘度的金屬化漿料。

第三步:涂料、烘干。利用絲網(wǎng)印刷技術在陶瓷基體上涂上漿料,漿料厚度要適宜,太薄焊料易流入金屬化層,太厚不利于組分遷移,然后將上漿后的基體在烘箱中干燥。

第四步:熱處理。將烘干后的基體放入還原性氣氛中燒結形成金屬化層。

雙面氧化鋁陶瓷覆銅板板厚0.635 銅厚105um.jpg

四,陶瓷與金屬封接關鍵技術5大關鍵技術

 陶瓷金屬化的具體方法

陶瓷金屬化常用的制備方法主要有Mo-Mn法、活化Mo-Mn法、活性金屬釬焊法、直接覆銅法(DBC)、磁控濺射法。

1、Mo-Mn法

Mo-Mn法是以難熔金屬粉Mo為主,再加入少量低熔點Mn的金屬化配方,加入粘結劑涂覆到Al2O3陶瓷表面,然后燒結形成金屬化層。傳統(tǒng)Mo-Mn法的缺點在于燒結溫度高,能源消耗大,且配方中無活化劑的參與導致封接強度低。

2、活化Mo-Mn法

活化Mo-Mn法是在傳統(tǒng)Mo-Mn法基礎上進行的改進,改進的方向主要有添加活化劑和用鉬、錳的氧化物或鹽類代替金屬粉。這兩類改進方法都是為了降低金屬化溫度。

活化Mo-Mn法的缺點是工藝復雜、成本高,但其結合牢固,能極大改善潤濕性,所以仍是陶瓷-金屬封接工藝中發(fā)明最早、最成熟、應用范圍最廣的工藝。

3、活性金屬釬焊法

活性金屬釬焊法也是一種應用較廣泛的陶瓷-金屬封接工藝,它比Mo-Mn法的發(fā)展晚10年,特點是工序少,陶瓷-金屬的封接只需要一次升溫過程就能完成。釬焊合金含有活性元素,如Ti、Zr、Hf和Ta,添加的活性元素與Al2O3反應,在界面處形成具有金屬特性的反應層,這種方法可以很容易地適應大規(guī)模生產(chǎn),與鉬-錳工藝相比,這種方法相對簡單經(jīng)濟。

活性金屬釬焊法缺點在于活性釬料單一,導致其應用受到一定限制,且不適于連續(xù)生產(chǎn),僅適合大件、單件生產(chǎn)或小批量生產(chǎn)。

4、直接敷銅法(Directbondedcopper,DBC)

DBC是在陶瓷表面(主要是Al2O3和AlN)鍵合銅箔的一種金屬化方法,它是隨著板上芯片(COB)封裝技術的興起而發(fā)展出來的一種新型工藝。其基本原理是在Cu與陶瓷之間引進氧元素,然后在1065~1083℃時形成Cu/O共晶液相,進而與陶瓷基體及銅箔發(fā)生反應生成CuAlO2或Cu(AlO2)2,并在中間相的作用下實現(xiàn)銅箔與基體的鍵合。

5、磁控濺射法DPC)

磁控濺射法是物理氣相沉積的一種,是通過磁控技術在襯底上沉積多層膜,具有優(yōu)于其他沉積技術的優(yōu)點,如更好的附著力,更少的污染以及改善沉積樣品的結晶度,獲得高質量的薄膜。

此法所得金屬化層很薄,能保證零件尺寸的精度,但它不宜對不耐高溫的陶瓷實行金屬化(如壓電陶瓷以及單晶)。

陶瓷覆銅板

陶瓷金屬化的影響因素

1、金屬化配方

這是實現(xiàn)陶瓷金屬化的前提,需要對其配方做出周密、科學的設計。

2、金屬化溫度及保溫時間

影響陶瓷金屬化的另一個關鍵因素是金屬化燒結溫度和保溫時間。金屬化溫度可分為以下四種工藝:溫度超過1600℃以上的為特高溫,1450~1600℃的為高溫,1300~1450℃的屬于中溫,低于1300℃的則為低溫。適當?shù)臒Y溫度是必須的,溫度過低會造成玻璃相沒有產(chǎn)生擴散遷移,過高則金屬化強度比較差,金屬化層很容易從陶瓷上脫落造成封接的失效。

3、金屬化層顯微結構

金屬化工藝決定金屬化層的顯微結構,顯微結構又直接影響焊接體的最終性能。想要獲得良好的焊接性能,首先金屬化層應為高結合強度的致密薄膜。若金屬化層的顯微結構中各區(qū)域層次分明,且任一界面處都沒有觀察到連續(xù)的脆性金屬化合物,就會減少脆性和裂紋擴展的幾率,界面緊密裂紋少,有利于減少焊料滲透,則說明該金屬化層致密性好,結合強度相對較高。

4、其他因素

還有很多影響陶瓷金屬化程度的因素需要注意,如粉料粒度與合理級配的影響,粉末過細,表面能大,易形成團聚,這會影響涂層的平整性;粉末過粗,表面能降低,導致燒結溫度提高,影響燒結質量。此外,還有涂覆方式以及涂覆的厚度等對陶瓷金屬化也會有很大影響。

     以上是關于金屬和陶瓷封接關鍵性介紹,相信您對陶瓷金屬化工藝有了更加深刻的認知,具體使用哪種工藝制作一方面需要根據(jù)客戶的定制要求去加工,更多關于陶瓷金屬化工藝的問題可以咨詢金瑞欣特種電路,金瑞欣陶瓷基板加工三年專項經(jīng)驗,十年多PCB行業(yè)經(jīng)驗,精通陶瓷基板金屬化工藝,歡迎咨詢。

   

 

 

 


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