碳化硅覆銅陶瓷基板的特點(diǎn)、用途和應(yīng)用

從二十世界50年代開始，碳化硅納入固體器件的研究開始，碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關(guān)注和研究。如今碳化硅陶瓷基板在很多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，金小編就來闡述一下碳化硅陶瓷基板的特點(diǎn)、用途和應(yīng)用。

 一，碳化硅覆銅陶瓷陶瓷基板的物料特性和特點(diǎn)

 碳化硅覆銅陶瓷基板本質(zhì)是一種硅材料，碳化硅有這優(yōu)越的導(dǎo)熱率，決定了其高電流密度的特點(diǎn)。較高的禁帶寬度又決定了碳化硅（SiC）陶瓷線路板的的高擊穿場強(qiáng)和高工作溫度。具體特性如下：

      1，高阻斷電壓

與Si材料相比，SiC的擊穿場強(qiáng)是Si的十倍多，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。

2，耐600℃高溫工作

SiC在物理特性上擁有高度穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)，其能帶寬度可達(dá)2.2eV至3.3eV，幾乎是Si材料的兩倍以上。因此，SiC所能承受的溫度更高，一般而言，使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件所能達(dá)到的最大工作溫度可到600 C。

3，高頻開關(guān)速度

SiC的熱導(dǎo)系數(shù)幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si的2倍，所以S使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件能在更高的頻率下工作。

4，損耗低

一般而言，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場強(qiáng)成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件導(dǎo)通損耗對溫度的依存度很小，隨溫度的變化也很小，這與傳統(tǒng)的Si器件也有很大差別。

正是因?yàn)樾﹥?yōu)點(diǎn)，在相同的功率等級下，設(shè)備中功率器件的數(shù)量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小，同時(shí)效率也有大幅度的提升。

  二，碳化硅陶瓷基板的用途和應(yīng)用

碳化硅陶瓷基板的特點(diǎn)來看，主要的核心優(yōu)勢是耐高溫、耐高壓、耐磨損、低損耗、高頻率工作。因此用于高散熱、高導(dǎo)熱、大電流、大電壓、需要高頻率運(yùn)作的產(chǎn)品方面，有這不可估量的用途。

我國是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國，隨著第三代半導(dǎo)體的發(fā)展，國內(nèi)的半導(dǎo)體生產(chǎn)增長迅猛。2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元，同比增長15.77%。2020年H1，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元，同比增長16.1%。碳化硅陶瓷基板的市場需求也不斷增長。如今碳化硅陶瓷基板不僅在半導(dǎo)體領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，另外碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域也應(yīng)用廣泛。更多碳化硅陶瓷基板相關(guān)問題可以咨詢金瑞欣特種電路，金瑞欣做碳化硅陶瓷覆銅板、銅層結(jié)合力高，品質(zhì)可靠。