隨著電子設(shè)備功耗越來越高、小型化集成化更為突出和頻率越來越高,要求封裝產(chǎn)品更高的散熱效果、更為密集的布線電路、更低的損耗,因此在封裝材料以及制作工藝方面需要不斷的創(chuàng)新。
1.厚膜工藝和薄膜工藝各有千秋
在電子封裝領(lǐng)域,陶瓷厚膜產(chǎn)品與薄膜產(chǎn)品由于其各自的特點(diǎn)都有較為廣泛的應(yīng)用。● 陶瓷厚膜工藝的優(yōu)勢(shì)是多層布線容易,能夠很好地實(shí)現(xiàn)三維互聯(lián),但是其金屬化由于絲網(wǎng)印刷工藝的限制平整度較差,微波傳輸損耗較大,線寬與線間距很難突破30μm。● 陶瓷薄膜工藝則很容易實(shí)現(xiàn) 20μm 線寬線間距,滿足高密度布線,并且金屬化平整度較高,微波傳輸損耗小,其缺點(diǎn)是布線層數(shù)限制難以突破,多層布線難度相對(duì)較大。
受到加工方式的限制,多層共燒陶瓷(HTCC/LTCC)在高可靠系統(tǒng)級(jí)封裝領(lǐng)域中存在平面度較大(>30μm)、最小線寬較大(>50μm)等問題。這些問題會(huì)導(dǎo)致陶瓷基板與芯片無法高可靠連接、封裝密度難以進(jìn)一步提升,直接限制了陶瓷基板向更高密度封裝領(lǐng)域發(fā)展。與厚膜陶瓷加工工藝不同,薄膜工藝主要采用光刻、刻蝕、沉積等方式進(jìn)行,具有無收縮、可制作納米級(jí)精細(xì)線條、沉積方式選擇多等優(yōu)勢(shì)。若將半導(dǎo)體制造工藝與多層共燒陶瓷技術(shù)相結(jié)合,有望獲得性能更好的產(chǎn)品以滿足未來高密度集成電路封裝需求。
2.多層共燒陶瓷薄厚膜基板制作工藝流程
HTCC薄厚膜基板結(jié)構(gòu)一般由 HTCC與 HTCC表面薄膜金屬化布線兩部分組成,結(jié)構(gòu)中心為 HTCC,上下表面為薄膜金屬化布線。
首先通過HTCC工藝進(jìn)行陶瓷多層基板的加工,包括通孔制作和內(nèi)部線路制作,再通過研磨、拋光等處理,獲得平整、光潔的陶瓷基板,使表面粗糙度達(dá)到薄膜電路制作的要求,再利用薄膜工藝分別對(duì) HTCC基板正背面進(jìn)行精細(xì)線條制作。
采用氧化鋁/氮化鋁生瓷帶和厚膜金屬漿料作為主要原材料,通過絲網(wǎng)印刷的方式將金屬漿料印刷在生瓷帶上構(gòu)成金屬電路,并采用通孔填孔的方式使上下層導(dǎo)通,再進(jìn)行多片疊層,最后經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)(溫度在1800℃以上)、表面處理,形成一個(gè)三維布線系統(tǒng)的單片結(jié)構(gòu)(HTCC基板)。
薄膜工藝流程包括清洗磨拋后的 HTCC基板,進(jìn)行烘干,利用磁控濺射在陶瓷基板表面沉積一層金屬種子層,并在其表面利用光刻膠進(jìn)行圖形化制作,將需要電鍍的區(qū)域裸露出來;光刻膠圖形化后,利用電鍍工藝進(jìn)行金屬層增厚;電鍍完成后去除光刻膠,利用刻蝕劑將沉積的種子層去除即可完成單面金屬化制作。之后將制作完成的表面進(jìn)行保護(hù),利用相同的工藝進(jìn)行另一表面圖形化制作。
在制造過程中,最為重要的環(huán)節(jié)是
HTCC與金屬化薄膜的結(jié)合。因此,HTCC基板的表面處理與表面薄膜金屬化的制作尤為重要。HTCC的表面處理決定了
HTCC表面特性是否滿足后續(xù)薄膜金屬化工藝條件,薄膜金屬化工藝則決定了薄厚膜 HTCC陶瓷基板精細(xì)布線能力及薄膜與 HTCC的結(jié)合力。
3.多層共燒陶瓷薄厚膜基板的應(yīng)用
多層共燒陶瓷薄厚膜電路基板是一種理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料,具有結(jié)構(gòu)強(qiáng)度高、耐高溫、導(dǎo)熱性能好、布線密度高、物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),可應(yīng)用于光通信800G高速光模塊、微波射頻、功率器件、T/R組件等領(lǐng)域。