摘要

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進行可靠 性進行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循 環(huán)、功率循環(huán)，分析結果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強度25 MPa， （-40 ~150）℃熱循環(huán)達到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

在電力電子的應用中，大功率電力電子器件 IGBT 是實現(xiàn)能源控制與轉換的核心，廣泛應用于高速鐵路、 智能電網(wǎng)、電動汽車與新能源裝備等領域。隨著 能量密度提高，功率器件對陶瓷覆銅基板的散熱能力和 可靠性的要求越來越高。

目前的陶瓷基板材料主要有： Al₂O₃ 、ALN、Si₃N₄ 、BeO、SiC 等。其中 Al₂O₃ 陶 瓷開發(fā)最早，技術最為成熟，成本最低，應用最廣泛， 但 Al₂O₃ 陶瓷的熱導率僅為 17 ～ 25 W/(m·K)，且與 Si 及 GaAs 等半導體材料的熱膨脹系數(shù)匹配性較差，限 制了其在高頻、大功率、高集成電路中的使用。SiC 陶 瓷基板的熱導率高，熱膨脹系數(shù)與 Si 最為相近，但其 介電性能（εr = 42）較差，燒結損耗大、難以致密，成 本高，限制了其大批量應用。

Si₃N₄ 雖然強度、韌性高、 可靠性高，以其等優(yōu)異的綜合熱力學性能成為較有前途 的大功率候選材料之一，但多晶 Si3N4 陶瓷在室溫下的 熱導率均較低，且關鍵技術都掌握在日本，限制了在國 內 Si₃N₄ 基板在 IGBT 組件中的應用。

BeO 的熱導率雖 與 AlN 相當，但熱膨脹系數(shù)過高，且 BeO 粉體有毒性， 吸入人體后會導致慢性鈹肺病，世界上大多數(shù)國家早已 停止使用 BeO。相比而言，AlN 陶瓷基板具有高的導熱 性（理論值 319 W/(m·K)) 與 Si 等半導體材料較匹配 的熱導率、寬的操作溫度（工作溫度范圍和耐高溫方面） 和優(yōu)良的絕緣性能，在大功率電力半導體模塊、智能功 率組件、汽車電子、高密度封裝載板和發(fā)光二極管（LED） 等方面有很好的發(fā)展前景，是先進集成電路陶瓷基板最 重要的材料之一。 

AlN 基板金屬化技術主要有厚膜法（TFC）、薄膜 法（DPC）、直接覆銅法（DBC）及活性金屬釬焊法（AMB） 等方法。本文著重開展以上 4 種金屬化方法制備覆銅 AlN 基板的可靠性研究，為相應功率器件在我國高速鐵 路、智能電網(wǎng)、電動汽車等領域的廣泛應用積累基礎實 驗數(shù)據(jù)。 

使用厚度 1 mm 的 AlN 陶瓷基板(福建華清電 子 材 料 科 技 有 限 公 司 )， 無 氧 高 導 電 銅 箔 (OFHC，  0.05 mm，中國國藥化學試劑有限公司 )，五水硫酸銅 （CuSO₄ ·5H₂O，中國國藥化學試劑有限公司），鹽酸（HCl， 中國國藥化學試劑有限公司），硫酸（H₂SO₄ ，中國國藥化學試劑有限公司），Cu-P 陽極板（P 含量 0.05%， 深圳市斗光電子科技公司），AgCuTi 活性金屬焊膏（Ti 含量4.5%，長沙天九金屬材料有限公司），燒結Cu漿（惠 州市騰輝科技有限公司）。將 AlN 陶瓷和銅箔切割為 尺寸 10 mm×10 mm 的正方形塊狀，并使用 1 000 目砂 紙打磨表面，然后在蒸餾水浴中超聲清洗 20 min 備用。 

DPC 金屬化：采用磁控濺射先在 AlN 陶瓷表面制 備厚約 1 μm 的 Ti 打底層，再制備一層厚約 3 μm 的 Cu 種子層。最后將該陶瓷基板置于電鍍液（CuSO₄ ·5HO 200 g/L，H₂SO₄ 50 g/L，Cl- 60 μg/L）中電鍍，使 Cu 層 增厚至約 50 μm，完成金屬化。 

TFC 金屬化：將銅漿料通過絲網(wǎng)印刷涂布在 AlN 陶瓷基板上，膜厚 50 μm，850 ℃ 真空燒結，得到 TFC 覆銅 AlN 基板。 

DBC 金屬化：將 AlN 基板與 Cu 箔對齊裝配后施加 一定壓力，控制爐內氧分壓，加熱至 1 065 ℃，使得 Cu 箔表面的氧化物薄層與 AlN 基板表面氧化產生的 Al₂O₃ 反應生成 CuAlO₂ 化合物，并產生冶金結合。 

AMB 金 屬 化： 在 AlN 表面涂布一層 AgCuTi 焊 膏，并覆上 Cu 箔，之后將樣件置于真空環(huán)境中加熱至 890℃ 并保溫一段時間，即可得到覆銅 AlN 基板。 

使用島津拉力機分別測試四種金屬化方法制備的覆 銅 AlN 陶瓷基板的剝離強度，使用冷熱沖擊試驗箱測 試覆銅基板可靠性，最后對基板進行功率循環(huán)測試和熱 阻測試。 

3.1 不同金屬化方法制備AlN覆銅基板的剝離強度

AlN 陶瓷金屬化銅層與基板的結合力大小決定了其 在實際應用過程中的可靠與否，是陶瓷金屬化基板的核 心性能指標。本文借鑒《微電子技術用貴金屬漿料測試 方法 附著力測定》 中的方法，通過剝離強度測試金屬 化層的附著力。圖 1 是 DPC 金屬化基板、TFC 金屬化 基板、DBC 金屬化基板和 AMB 金屬化基板 Cu 層的剝離強度。

從圖 1 可知，AMB 金屬化陶瓷基板陶瓷與金屬化 層結合力最好，剝離強度為 25 Mpa，接下來是 DBC 和 TFC 金屬化陶瓷基板，剝離強度分別為 21 Mpa 和 15 Mpa，最差的是 DPC 金屬化基板，剝離強度僅為 13 Mpa。 

對于 AMB 基板，由于中間有 1 層活性釬料，其中 的 Ti 元素對附著力起到關鍵因素，Ti 元素與 AlN 基板 反應生成 TiN，可以提升金屬層的附著力。對于 DBC 基 板， 在 覆 銅 過 程 中 Cu 箔與微量氧氣生成 Cu₂O， 而 Cu₂O 可以與金屬 Cu 形成共晶組織。AlN 基板在 覆 Cu 箔之前通常需要對其進行預氧化處理，形成幾個 μm 厚度的 Al₂O₃ 層，Cu₂O 與 Al₂O₃ 可以在高溫下生成 CuAlO₂ 化合物，因此 AlN 基板與覆 Cu 層具有很好的 界面結合 。TFC 基板的附著力主要由漿料內部的玻璃 成分決定，高溫燒結過程中玻璃軟化并與陶瓷基板潤濕 產生結合，此外軟化的玻璃還可以錨接銅粉燒結形成的 金屬化層，從而使金屬化層與陶瓷基板牢固結合。對于 DPC 陶瓷基板，電鍍 Cu 層與 AlN 基板之間僅有一層 Ti 薄膜層，該薄膜與陶瓷基板僅有物理結合，因此金屬層 結合力最低。 

3.2 4種AlN基板可靠性測試（冷熱沖擊） 

對 4 種 AlN 覆銅基板循環(huán)進行冷熱沖擊熱循環(huán)實 驗，條件為在 -55 ℃ ~ 150 ℃，每個溫度保溫 30 min， 5 s 內完成到 155 ℃ 溫度轉換，循環(huán)次數(shù)為 100、500、1000、1 500 cycles。

從表 1 可知，AMB 法制備的 AlN 覆銅板耐熱沖擊 次數(shù)明顯高于其他制備工藝。AlN 覆銅板耐熱沖擊主要 的失效模式為金屬層剝離和 AlN 陶瓷基板開裂。 

對于 DPC 基板，在 200 次冷熱循環(huán)后，金屬層與 AlN 完全剝離，剝離強度為 0。AlN 厚膜覆銅板，在 500 次冷熱循環(huán)后，金屬層有局部剝離，剝離強度降為 20%。DBC 基板在 1 000 次冷熱循環(huán)后，剝離強度降低 了 20%，但去除金屬層，通過超聲波掃描顯微鏡探測， 與銅結合邊緣處 AlN 基板有微裂紋，這是由于金屬 Cu 和 AlN 的熱膨脹系數(shù)差別大，兩者在高溫急速降溫過程 中，材料內部存在大量的熱應力，而導致開裂。AMB 基板在 1 500 次冷熱循環(huán)后，金屬層剝離力無下降現(xiàn)象， 陶瓷表面無微裂紋。由于金屬層與 AlN 陶瓷之間有剛 度較低的活性釬料過渡層，可以避免大量的熱應力形成 而造成的 AlN 陶瓷基板微裂紋產生 。

3.3 4種AlN基板功率循環(huán)耐測試 

為了更好地評估 AlN 覆銅板耐久性和壽命，將 4 種 AlN 覆銅板以常規(guī)工藝封裝成 IGBT 模塊，用硅膠進行 密封保護，恒定功率為 1 200 A/3.3 kV、0~85 000 次循 環(huán)測試，驗證 4 種 AlN 覆銅板 IGBT 模塊的功率循環(huán)可 靠性。器件的起始溫度 T0 設置為 45 ℃，Tc 為循環(huán)后的 溫度，相對熱阻 Rr 由下式計算 ：

從圖 3 可知，AMB 陶瓷基板 IGBT 模塊在 7 萬次 功率循環(huán)后，模塊溫度為 50 ℃，相對熱阻＜ 15%，滿 足電力電子器件特別是高壓、大電流 IGBT 模塊可靠 性要求（相對熱阻＜ 15%）。DBC 陶瓷基板 IGBT 模 塊在 4 萬次循環(huán)前，相對熱阻保持在 15% 以內，超過 4 萬次，模塊溫度逐漸增高，相對熱阻（＞ 15%）超 出了可靠性要求。DPC 陶瓷基板在 1 萬次相對熱阻為 22%，器件受到破壞，在 3 萬次循環(huán)后器件完全失效。 TFC 陶瓷基板在 2 萬次循環(huán)后相對熱阻為 33%，器件 受到破壞，4.5 萬次循環(huán)后器件完全失效。 

本文對比了 4 種 AlN 基板的剝離強度、熱循環(huán)可靠 性、模塊功率循環(huán)可靠性。從對比可知，AlN-AMB 覆 銅板可靠性最好，剝離強度 25 MPa，-40~150 ℃ 熱循 環(huán)達到 1 500 次，能耐 1200 A/3.3 kV 功率循環(huán)測試， 滿足高壓、大電流、高頻 IGBT 模塊封裝對覆銅板的可 靠性要求。采用氮化鋁基板進行功率負載的制備可有效 提高器件的耐功率能力。