作為新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)和智能電網(wǎng)的重要單元，IGBT模塊得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種，其中焊接式發(fā)展成熟，應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，是由多種材料組合封裝而成，IGBT模塊的內(nèi)部發(fā)熱量隨著封裝電流密度的增加、功率的升高、體積的減小而成倍的增加，在溫度或功率循環(huán)等復(fù)雜且多變的工作狀態(tài)下持續(xù)正常運(yùn)行時(shí)，對(duì)其可靠性提出了更高的要求。

1.IGBT模塊主要失效形式

IGBT模塊封裝為層狀結(jié)構(gòu)，主要由芯片、芯片焊料層、上銅層、陶瓷層、下銅層、基底焊料層、基板組成。其中最脆弱的部位分別是用于連接固定的焊料層和芯片間電氣連接的鍵合線(xiàn)。

2.IGBT模塊封裝級(jí)失效

IGBT模塊應(yīng)用的趨勢(shì)是功率密度更大、開(kāi)關(guān)頻率更高、體積更小，其安全可靠性也受到了更多的關(guān)注。