現(xiàn)代微電子技術(shù)發(fā)展迅猛,芯片功率及模塊功率密度大大升高,電子元件和系統(tǒng)工作熱耗散顯著增加。陶瓷覆銅基板具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機(jī)械性能，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

陶瓷覆銅基板工藝主要有直接鍵合銅（DBC）法、活性金屬焊接(AMB)法、直接電鍍銅(DPC)法和激光活化金屬(LAM)法等。其中，直接鍵合銅(DBC)陶瓷基板逐漸取代傳統(tǒng)的PCB基板，廣泛應(yīng)用于多芯片功率半導(dǎo)體模塊電子線路。

2.1 氧化鋁(Al2O3)

氧化鋁絕緣性好、化學(xué)穩(wěn)定性好、強(qiáng)度高、而且價(jià)格低，是DBC技術(shù)的優(yōu)選材料，但是氧化鋁的熱導(dǎo)率低，并且與Si的熱膨脹系數(shù)還有一定的熱失配；

2.2 氮化鋁(AlN)

DBC陶瓷基板的應(yīng)用下游很廣。在半導(dǎo)體致冷器，電子加熱器，大功率電力半導(dǎo)體模塊，功率控制電路，功率混合電路，智能功率組件，高頻開關(guān)電源，固態(tài)繼電器，汽車電子，太陽能電池板組件，電訊專用交換機(jī)，接收系統(tǒng)，激光等多項(xiàng)工業(yè)電子領(lǐng)域均有DBC陶瓷基板的身影。