當(dāng)前位置:首頁 ? 行業(yè)動(dòng)態(tài) ? DBC直接覆銅技術(shù)中銅箔預(yù)氧化的影響因素
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直接覆銅技術(shù)(DBC)是一種基于氧化鋁陶瓷基板金屬化的技術(shù),最早出現(xiàn)于20世紀(jì)70年代。DBC技術(shù)是利用銅的含氧共晶液將銅直接與陶瓷進(jìn)行敷接的一項(xiàng)技術(shù),其基本原理是先通過預(yù)氧化的方法在銅箔中引入氧,在1065~1083℃范圍內(nèi),銅與氧會(huì)形成Cu-O共晶液。該共晶液一方面與氧化鋁發(fā)生化學(xué)應(yīng),生成中間相(CuAlO2或CuAl2O4),另一方面浸潤銅箔,實(shí)現(xiàn)陶瓷基板與銅箔的良好結(jié)合。
如下圖所示,在400~600℃范圍內(nèi),隨著溫度的上升,氧化膜厚度基本上是隨著溫度的升高而線性增加,當(dāng)預(yù)氧化溫度上升到600℃以上時(shí),由于最初生成的氧化層阻礙氧化進(jìn)程,氧化膜的厚度增長速度開始減慢,氧化速率決定因素從化學(xué)反應(yīng)機(jī)制轉(zhuǎn)變?yōu)殡x子擴(kuò)散機(jī)制。
隨著氧分壓增高銅箔表面的氧化速度加快,氧化膜持續(xù)增厚,銅箔表面出現(xiàn)的Cu2O薄膜與基體Cu之間由于熱膨脹系數(shù)差異所產(chǎn)生的應(yīng)力來不及釋放,導(dǎo)致銅箔表面的氧化膜開始出現(xiàn)鼓泡和疏松,并導(dǎo)致部分氧化亞銅薄膜脫落。據(jù)文獻(xiàn)資料,通常界面反應(yīng)層的厚度控制在2~6μm范圍內(nèi),能夠得到導(dǎo)熱性和界面結(jié)合性良好的基板。
DBC陶瓷基板在實(shí)際應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì),但在制備過程中要嚴(yán)格控制共晶溫度及氧含量,對(duì)設(shè)備和工藝控制要求較高。
通過公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)的不懈努力,現(xiàn)已成功研發(fā)微小孔板、高精密板、難度板、微型化板、圍壩板等,具備DPC、DBC、HTCC、LTCC等多種陶瓷生產(chǎn)技術(shù),以便為更多需求的客戶服務(wù),開拓列廣泛的市場(chǎng)。
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