氧化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板都是導(dǎo)熱性能較好的基材,在集成電路、散熱半導(dǎo)體、交通軌道燈領(lǐng)域發(fā)揮重要的作用。那么氧化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板有哪些區(qū)別呢?
一,氮化硅陶瓷基板和氧化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱率和膨脹系數(shù)不同
1,導(dǎo)熱率:氧化鋁的導(dǎo)熱率差不多在30 W/(m·K)左右,大于25W/(m·K).氮化硅的導(dǎo)熱率大于80W/(m·K).
2, 熱膨脹系數(shù):氧化鋁陶瓷電路板的導(dǎo)熱系數(shù)和氮化硅陶瓷電路板有所不同。
導(dǎo)熱率和熱膨脹系數(shù)是最直接體現(xiàn)電路板性能的參數(shù),氧化鋁陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)是6.8~7.8(10-6/K),氮化硅的熱膨脹系數(shù)是2.6~3.1(10-6/K)。
二.氧化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板導(dǎo)熱率相當(dāng),氮化硅陶瓷基板機(jī)械強(qiáng)度更強(qiáng)
1,導(dǎo)熱性能不同,氧化鋁陶瓷基板具有很高的導(dǎo)熱率30w;氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱率一般75-80W/(m·K).
2,機(jī)械強(qiáng)度不同,氮化硅陶瓷基板具有比氧化鋁陶瓷更高的強(qiáng)度。其中氧化鋁陶瓷基板的抗壓強(qiáng)度是310~400mpa,96氧化鋁陶瓷抗彎強(qiáng)度是38Mpa,99氧化鋁陶瓷抗彎強(qiáng)度400Mpa.而氮化硅陶瓷基板的抗彎強(qiáng)度是800mpa??梢姷璧臋C(jī)械強(qiáng)度更強(qiáng),在需要抗彎強(qiáng)度的領(lǐng)域還是會(huì)優(yōu)先使用到氮化硅陶瓷基板的。
目前市場陶瓷基板的種類還是以氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板為主導(dǎo),氮化硅陶瓷基板等其它陶瓷基板則相對而言使用率不是特別高,在一些特定的行業(yè)需要用到。金瑞欣是一家以氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板為主導(dǎo)的陶瓷基板加工生產(chǎn)廠家,可以加工精密線路、實(shí)銅填空、圍壩工藝等。更多詳情可以咨詢金瑞欣特種電路。
以下是“氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板的不同”