陶瓷基板在五大領(lǐng)域的應(yīng)用
陶瓷基板在芯片當(dāng)中的應(yīng)用
陶瓷基板的使用就是陶瓷芯片,在led多采用陶瓷基板做成芯片,以實(shí)現(xiàn)更好的導(dǎo)熱性能。此外
◆大功率電力半導(dǎo)體模塊;
◆半導(dǎo)體致冷器、電子加熱器;功率控制電路,功率混合電路。
◆智能功率組dao件;高頻開(kāi)關(guān)電源,固態(tài)繼電器。
◆汽車電子,航天航空及軍用電子組件。
◆太陽(yáng)能電池板組件;電訊專用交換機(jī),接收系統(tǒng);激光等工業(yè)電子
也多使用陶瓷基板做成陶瓷芯片,改用陶瓷基板做芯片后,產(chǎn)品功能更加完善,良好的散熱效果和絕緣性解決了很多問(wèn)題。
陶瓷基板在三代半導(dǎo)體的應(yīng)用
以baiMOSFET、IGBT、晶閘管等為代表的主流功du率器件在各自的頻率zhi段和電源功率段占有一席之dao地。IGBT綜合了MOSFET和雙極型晶體管的優(yōu)勢(shì),有輸入阻抗高,開(kāi)關(guān)速度快,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),又有輸出電流密度大,通態(tài)壓降下,電壓耐壓高的優(yōu)勢(shì),電壓一般從600V~6.5kV。IGBT優(yōu)勢(shì)通過(guò)施加正向門(mén)極電壓形成溝道,提供晶體管基極電流使IGBT導(dǎo)通,反之,若提供反向門(mén)極電壓則可消除溝道,使IGBT因流過(guò)反向門(mén)極電流而關(guān)斷。比較而言,IGBT開(kāi)關(guān)速度低于MOSFET,卻明顯高于GTR;IGBT的通態(tài)壓降同GTR接近,但比功率MOSFET低很多;IGBT的電流、電壓等級(jí)與GTR接近,而比功率MOSFET高。由于IGBT的綜合優(yōu)良性能,已經(jīng)取代GTR,成為逆變器、UPS、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、大功率開(kāi)關(guān)電源,尤其是現(xiàn)在炙手可熱的電動(dòng)汽車、高鐵等電力電子裝置中主流的器件。
氧化鋁陶瓷基板在電子電力領(lǐng)域的應(yīng)用
在電力電子領(lǐng)域,需要大電流,比如功率開(kāi)關(guān)電源、電力驅(qū)動(dòng)等,需要介質(zhì)陶瓷基板來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的導(dǎo)熱性能,防止電流燒壞和短路。
氧化鋁陶瓷共燒板在鋰電池行業(yè)的應(yīng)用
隨著人工智能和環(huán)保的推薦,汽車行業(yè)也推出電力小轎車,電力轎車主要是通過(guò)電池蓄電,采用陶瓷基板做的鋰電池可以實(shí)現(xiàn)更好的電流和散熱功能。從而促進(jìn)新能源汽車的市場(chǎng)需求。
陶瓷基板在集成電路當(dāng)中的應(yīng)用
對(duì)于使用陶瓷基板的集成電路,其常規(guī)封裝過(guò)程為:來(lái)自前道工藝的晶圓通過(guò)劃片工藝后被切割為小的芯片(劃片),然后切割好的裸芯片從圓片上取下來(lái)貼裝到相應(yīng)的陶瓷基板的小島上(粘片),再利用超細(xì)的金屬導(dǎo)線將裸芯片的接合焊盤(pán)連接到陶瓷基板的相應(yīng)引腳上(鍵合),并構(gòu)成所要求的電路;然后再對(duì)裸芯片和超細(xì)的金屬導(dǎo)線用黑膠加以封裝保護(hù)(涂覆);涂覆后使用劃片機(jī)將陶瓷基板按預(yù)定大小分為單個(gè)電路(裂片);然后進(jìn)行引線框焊接、清洗電路、引線框切筋等一系列操作,完成后進(jìn)行成品測(cè)試,通常經(jīng)過(guò)入檢和包裝等工序,最后入庫(kù)出貨。
小小尺寸的陶瓷基板 尺寸小于3mm*3mm的芯片通過(guò)技術(shù)也能實(shí)現(xiàn)小尺寸集成電路的封裝,因此對(duì)于集成電路的應(yīng)用也是越來(lái)也大,畢竟集成電路發(fā)展是精密化,微型化等特征。
以上是小編講述的陶瓷基板在五大應(yīng)用領(lǐng)域的用途,可以得出,陶瓷基板的用處是高端的,是市場(chǎng)需求的方向,也不斷推進(jìn)陶瓷基板的發(fā)展和科技技術(shù)的發(fā)展。