氮化鋁陶瓷陶瓷amb工藝備受關(guān)注,工藝相對更加先進(jìn),被廣泛應(yīng)用軌道交通、大功率電力半導(dǎo)體模塊、高頻開關(guān)、風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車、動(dòng)力機(jī)車、航空航天等領(lǐng)域。今天小編就來分享一下:什么是氮化鋁陶瓷基板AMB工藝以及優(yōu)勢。
什么是amb氮化鋁覆銅陶瓷基板?
氮化鋁覆銅陶瓷基板是使用AMB(Active Metal Brazing)技術(shù)將銅箔釬焊到陶瓷表面的一種散熱基礎(chǔ)材料。相比于傳統(tǒng)的DBC基板,使用AMB工藝制得的氮化鋁覆銅陶瓷基板不僅具有更高的熱導(dǎo)率、銅層結(jié)合強(qiáng)度高等特點(diǎn),而且其熱膨脹系數(shù)與硅接近,可應(yīng)用于高電壓操作且沒有局部放電現(xiàn)象。以下是氮化鋁陶瓷基板 amb的技術(shù)參數(shù):
關(guān)于覆銅陶瓷基板AMB工藝介紹:
AMB (Active Metal Bonding,AMB|)的簡稱,就是活性金屬釬焊覆銅技術(shù),顧名思義,依靠活性金屬釬料實(shí)現(xiàn)氮化鋁與無氧銅的高溫冶金結(jié)合,以結(jié)合強(qiáng)度高、冷熱循環(huán)可靠性好等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注,應(yīng)用前景極為廣闊。但同時(shí)也應(yīng)該看到,AMB工藝的可靠性很大程度上取決于活性釬料成分、釬焊工藝、釬焊層組織結(jié)構(gòu)等諸多關(guān)鍵因素,工藝難度大,而且還要兼顧成本方面的考慮。依據(jù)目前的市場調(diào)研結(jié)果來看,氮化鋁AMB覆銅板國內(nèi)相關(guān)研發(fā)機(jī)構(gòu)(生產(chǎn)企業(yè))與國外競爭對手存在較大的技術(shù)差距。
氮化鋁陶瓷覆銅板是IGBT模塊領(lǐng)域的核心重要部件
氮化鋁陶瓷覆銅板是IGBT模塊的重要組成部件,其具有陶瓷的高導(dǎo)熱、高絕緣、高機(jī)械強(qiáng)度、低膨脹等特性,又兼具無氧銅的高導(dǎo)電性和優(yōu)異焊接性能,且能像PCB線路板一樣刻蝕出各種圖形。已成為新一代半導(dǎo)體(SiC)和新型大功率電力電子器件的首選封裝材料。
金瑞欣特種特種電路是專業(yè)的陶瓷基板生產(chǎn)廠家,主營氧化鋁陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板,陶瓷基板領(lǐng)域有深入的專研,氮化鋁陶瓷基板amb工藝,導(dǎo)熱更高,銅的結(jié)合更好。目前普通在使用的DPC工藝,DBC工藝以及高溫?zé)Y(jié)我們目前也非常熟練。更多amb陶瓷基板的問題可以咨詢金瑞欣特種電路。