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金瑞欣分享陶瓷基板htcc與ltcc工藝的優(yōu)劣勢

836 2021-09-18
陶瓷基板

                                                                  金瑞欣分享陶瓷基板htcc與ltcc工藝的優(yōu)劣勢

HTCC和LTCC是陶瓷基板加工制作工藝的兩大種類,那是不是所有的陶瓷基都適用于這樣的工藝呢?今天小編來講述一下兩種工藝單特點和優(yōu)劣勢。

一,HTCC工藝的的優(yōu)劣勢

以采用將其材料為鎢、鉬、鉬\錳等高熔點金屬發(fā)熱電阻漿料按照發(fā)熱電路設(shè)計的要求印刷于92~96%的氧化鋁流延陶瓷生坯上,4~8%的燒結(jié)助劑然后多層疊合,在1500~1600℃下高溫下共燒成一體,從而具有耐腐蝕、耐高溫、壽命長、高效節(jié)能、溫度均勻、導(dǎo)熱性能良好、熱補償速度快等優(yōu)。

劣勢是:

高熔點金屬電導(dǎo)率不高

不能直接印刷電阻

生產(chǎn)成本高

二,LTCC工藝的優(yōu)劣勢

LTCC技術(shù)是將低溫燒結(jié)陶瓷粉制成厚度精確而且致密的生瓷帶,在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿、精密導(dǎo)體漿料印刷等工藝制出所需要的電路圖形,并將多個被動組件(如低容值電容、電阻、濾波器、阻抗轉(zhuǎn)換器、耦合器等)埋入多層陶瓷基板中,然后疊壓在一起,內(nèi)外電極可分別使用銀、銅、金等金屬,在900℃下燒結(jié),制成三維空間互不干擾的高密度電路,也可制成內(nèi)置無源元件的三維電路基板,在其表面可以貼裝IC和有源器件,制成無源/有源集成的功能模塊,可進一步將電路小型化與高密度化,特別適合用于高頻通訊用組件。

雙面氧化鋁陶瓷覆銅板

LTCC工藝的優(yōu)勢:

第一,陶瓷材料具有優(yōu)良的高頻、高速傳輸以及寬通帶的特性。根據(jù)配料的不同,LTCC材料的介電常數(shù)可以在很大范圍內(nèi)變動,配合使用高電導(dǎo)率的金屬材料作為導(dǎo)體材料,有利于提高電路系統(tǒng)的品質(zhì)因數(shù),增加了電路設(shè)計的靈活性;

第二,可以適應(yīng)大電流及耐高溫特性要求,并具備比普通PCB電路基板更優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性,極大地優(yōu)化了電子設(shè)備的散熱設(shè)計,可靠性高,可應(yīng)用于惡劣環(huán)境,延長了其使用壽命;

第三,可以制作層數(shù)很高的電路基板,并可將多個無源元件埋入其中,免除了封裝組件的成本,在層數(shù)很高的三維電路基板上,實現(xiàn)無源和有源的集成,有利于提高電路的組裝密度,進一步減小體積和重量;

第四,與其他多層布線技術(shù)具有良好的兼容性,例如將LTCC與薄膜布線技術(shù)結(jié)合可實現(xiàn)更高組裝密度和更好性能的混合多層基板和混合型多芯片組件;

第五,非連續(xù)式的生產(chǎn)工藝,便于成品制成前對每一層布線和互連通孔進行質(zhì)量檢查,有利于提高多層基板的成品率和質(zhì)量,縮短生產(chǎn)周期,降低成本。

第六,節(jié)能、節(jié)材、綠色、環(huán)保已經(jīng)成為元件行業(yè)發(fā)展勢不可擋的潮流,LTCC也正是迎合了這一發(fā)展需求,最大程度上降低了原料,廢料和生產(chǎn)過程中帶來的環(huán)境污染

雙面氧化鋁陶瓷覆銅板

LTCC的劣勢:

1,收縮率問題。LTCC 存在許多涉及可靠性的難點,基板與布線共燒時的收縮率及熱膨脹系數(shù)匹配問題即是其中的一個重要挑戰(zhàn),它關(guān)系到多層金屬化布線的質(zhì)量。LTCC 共燒時,基板與漿料的燒結(jié)特性不匹配主要體現(xiàn)在三個方面:

①燒結(jié)致密化完成溫度不一致;

②基板與漿料的燒結(jié)收縮率不一致;

③燒結(jié)致密化速度不匹配。這些不匹配容易導(dǎo)致燒成后基板表面不平整、翹曲、分層。不匹配的另一個后果是金屬布線的附著力下降。

2,散熱問題。雖然LTCC 基板比傳統(tǒng)的PCB 板在散熱方面已經(jīng)有了很大的改進,但由于集成度高、層數(shù)多、器件工作功率密度高,LTCC基板的散熱仍是一個關(guān)鍵問題,成為影響系統(tǒng)工作穩(wěn)定性的決定因素之一。

隨著微電子技術(shù)的進步,器件工作能量密度越來越高,如何把熱量及時有效地散發(fā)出去,保障器件的穩(wěn)定工作,是封裝所面臨的艱巨挑戰(zhàn)。采用高導(dǎo)熱率的材料及新型的封裝設(shè)計是提高封裝部件散熱效率的常用方法。

但對LTCC來說,其明顯的不足之處就是基片的導(dǎo)熱率低(2-6W/m· K),遠低于氮化鋁基片的導(dǎo)熱率(≥100W/m· K),比氧化鋁基片的導(dǎo)熱率(15-25W/m·K)也低了不少。這限制了LTCC在大型、高性能計算機系統(tǒng)中的應(yīng)用。

綜上所述,相信您對HTCC工藝以及LTCC工藝的優(yōu)勢和劣勢都很清楚, 選擇用不同的工藝制作陶瓷基電路板,也是考慮到產(chǎn)品性能工藝要求的不同。HTCC高溫共燒散熱性更好,這恰恰是LTCC共燒的不足,但是LTCC可以做3層以上的陶瓷電路板,HTCC卻未必能實現(xiàn)。更多問題可以咨詢金瑞欣特種電路。

 

     

 


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