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國(guó)內(nèi)做氮化硅陶瓷基板覆銅的廠家

195 2020-11-07
氮化硅陶瓷基板覆銅

氮化硅陶瓷覆銅基板是在氮化硅陶瓷基片的基材上通過(guò)技術(shù)手段把銅箔覆蓋到表面,實(shí)現(xiàn)金屬化后讓氮化硅陶瓷基板具備更好的導(dǎo)熱性能和電器性能。那么國(guó)內(nèi)做的氮化硅的陶瓷基板覆銅的廠家有哪些呢?什么樣的廠家生產(chǎn)的氮化硅陶瓷基板更好?

IGBT陶瓷基板.JPG

氮化硅陶瓷基板的特性

氮化硅陶瓷具有2.4倍于氧化鋁和氮化鋁的抗彎強(qiáng)度,因此具有比氮化鋁和氧化鋁高的多的可靠性,尤其是高強(qiáng)度可以實(shí)現(xiàn)其與厚銅基板的覆接,大幅提高基板的熱性能。相對(duì)于氮化鋁和氧化鋁,氮化硅陶瓷覆銅板在電流承載能力、散熱能力、力學(xué)性能、可靠性等方面均具有明顯優(yōu)勢(shì)。氮化硅陶瓷在熱導(dǎo)率方面不及氮化鋁陶瓷基板,因此在提升導(dǎo)熱方面成為關(guān)注的重點(diǎn)了。高導(dǎo)熱陶瓷應(yīng)具備以下條件:(1)平均原子量小;(2)原子鍵合強(qiáng)度高;(3)晶體結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單;(4)晶格非諧性振動(dòng)低。提高氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的方法包括:(1)β-Si3N4相晶種的引入;(2)燒結(jié)助劑的選擇;(3)成型工藝以及熱處理工藝。

 氮化硅陶瓷基板的覆銅工藝--AMB

 氮化硅陶瓷基板一般通過(guò)AMB工藝時(shí)間雙面覆銅,AMB工藝可以讓氮化硅陶瓷基板大幅提高基板的散熱性能,散熱性能可以提高到氧化鋁陶瓷基板的2-3倍。從而具備更強(qiáng)的電流承載能力、基板整體熱阻更低、耐溫度沖擊能力更強(qiáng)。氮化硅陶瓷基板具有高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱、高可靠的特點(diǎn),可用濕法刻蝕工藝在表面制作電路,經(jīng)表面鍍覆后制得的一種用于高可靠性電子基板模塊封裝的基板材料。

陶瓷覆銅板.JPG

國(guó)內(nèi)做氮化硅陶瓷基板覆銅的廠家有哪些?

能做氮化硅陶瓷基板覆銅的廠家,一定要具備穩(wěn)定優(yōu)質(zhì)的陶瓷基板材料供應(yīng);以及精密的加工技術(shù);熟練的AMB/DBC/DPC等陶瓷工藝,先進(jìn)的陶瓷基板切割鉆孔設(shè)備,完善的團(tuán)隊(duì)以及嚴(yán)格的品質(zhì)管理體系和質(zhì)量控制體系。才能制造出優(yōu)質(zhì)各項(xiàng)性能持久的產(chǎn)品,更多詳情可以咨詢金瑞欣特種電路,行業(yè)經(jīng)驗(yàn)十多年,值得信賴。

 

 

    

    


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