氮化鋁陶瓷基板價(jià)格如何？為什么這么貴呢？

        眾所周知氮化鋁陶瓷基板價(jià)格在PCB板中價(jià)格比較高，是普通PCB板的8~10倍以上。氮化鋁陶瓷基板的價(jià)格怎么樣？為什么這么貴呢？

      氮化鋁陶瓷基板的構(gòu)成和應(yīng)用

      氮化鋁陶瓷基板主要是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷做的基板，AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系?；瘜W(xué)組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無(wú)色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN熱導(dǎo)率達(dá)260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對(duì)熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。氮化鋁陶瓷基板主要用于制造高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料；大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料；制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。

氮化鋁陶瓷基板價(jià)格是多少？為什么這么貴？

一，氮化鋁陶瓷基板導(dǎo)熱系數(shù)高

   和結(jié)晶狀態(tài)有關(guān)，氮化鋁單晶的理論導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá)275W/（m·K），也有部分資料說(shuō)是是320W/（m·K）；聚晶體的導(dǎo)熱系數(shù) 70～210 W/（m·K），高導(dǎo)熱氮化鋁墊片,導(dǎo)熱系數(shù):180W/M.K,性能接近鋁散熱器,但其絕緣性能耐壓:12KV,耐溫1000度以上,是理想的大功率晶體管,IGBT絕緣導(dǎo)熱零件首選,目前應(yīng)當(dāng)主要在航天航空等特殊性要求高導(dǎo)熱散熱產(chǎn)品內(nèi)使用,其相普通材料比價(jià)格昂貴。

二，氮化鋁陶瓷介電常數(shù)小

氮化鋁陶瓷基板擁有高電絕緣性，介電常數(shù)小。介電常數(shù)越低，pcb的插損也越小.常用的PCB介質(zhì)是FR4材料的，相對(duì)空氣的介電常數(shù)是4.2-4.7。

氮化鋁陶瓷基板介電常數(shù)小，這個(gè)介電常數(shù)是會(huì)隨溫度變化的，在0-70度的溫度范圍內(nèi)，其最大變化范圍可以達(dá)到20%。介電常數(shù)的變化會(huì)導(dǎo)致線路延時(shí)10%的變化，溫度越高，延時(shí)越大。介電常數(shù)還會(huì)隨信號(hào)頻率變化，頻率越高介電常數(shù)越小.以氮化鋁為主成分的陶瓷。屬六方晶系。氮化鋁在2450℃下升華分解，理論密度為3.26g/cm3。熱壓制品具有良好的物理化學(xué)性能：熱膨脹系數(shù)低(4.2×10-6℃-1)，導(dǎo)熱系數(shù)高[0.31J/(cm·s·℃)]，能耐20～2200℃的急冷急熱，還具有耐熔融鋁、砷化鎵的侵蝕。在空氣中于700℃開始氧化，介電常數(shù)為8.8，電阻率2×1011Ω·cm，是良好的電絕緣體。介質(zhì)損耗角正切值4×10-4。電阻率大于1012Ω·cm。良好的耐熱震性和電絕緣性。采用氮與鋁元素直接合成法，鋁的氧化物與石墨的通氮還原合成法，以及鋁的鹵化物與氮反應(yīng)的熱解法等制出氮化鋁化合物。然后，加入少量添加劑，如氧化釔、氧化鈣等，經(jīng)高溫通氮燒結(jié)或熱壓燒結(jié)制得。致密燒結(jié)制品是大規(guī)模集成電路基板和可控硅外殼的優(yōu)質(zhì)材料，能耐2200℃的急冷急熱。也可用作高溫耐腐蝕材料、高溫高強(qiáng)度結(jié)構(gòu)材料和電絕緣材料。高純度的氮化鋁坩堝和舟皿適合于熔制半導(dǎo)體物質(zhì)，特別適用于熔制砷化鎵、磷化鎵等。另外，由于它的高熱導(dǎo)率和與Si相匹配的熱膨脹系數(shù)，可作高密度封裝用基片。這個(gè)也是氮化鋁陶瓷基板價(jià)格高的重要原因。

氮化鋁陶瓷基板制成成本一直較高，氮化鋁陶瓷基板也是氮化鋁陶瓷沒(méi)有像氧化鋁陶瓷基板大量使用的一個(gè)重要方面，但是現(xiàn)在科技的發(fā)達(dá)，對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量性能要求更強(qiáng)，氮化鋁陶瓷基板具有不可替代性。氮化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱性和絕緣性以及較小的介電常數(shù)、制作難度較為普通的pcb板大，因而氮化鋁陶瓷基板相對(duì)會(huì)比較貴。

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