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氮化鋁陶瓷基板的性能參數(shù)和應(yīng)用范圍

335 2021-04-21
氮化鋁陶瓷基板

                                                    氮化鋁陶瓷基板的性能參數(shù)和應(yīng)用范圍

  氮化鋁陶瓷基板在高功率器件、半導(dǎo)體、大功率模組等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,就因?yàn)榈X陶瓷基板的優(yōu)越特性,今天小編就來(lái)闡述一下氮化鋁陶瓷基板的性能參數(shù)和應(yīng)用范圍。

一,氮化鋁陶瓷基板的基礎(chǔ)特性和性能參數(shù)

1,氮化鋁陶瓷基板特性

      氮化鋁陶瓷基板導(dǎo)熱率很高,是氧化鋁陶瓷基板導(dǎo)熱率的5倍,晶體是AIN,硬度強(qiáng),絕緣性好,耐高溫和耐腐蝕。

2,氮化鋁陶瓷基板熱導(dǎo)率(導(dǎo)熱系數(shù))

      氮化鋁陶瓷基板的熱導(dǎo)率(導(dǎo)熱系數(shù))大于等于170W/m.k,氮化鋁陶瓷基板的熱導(dǎo)率是氧化鋁陶瓷基板、氮化硅陶瓷基板所不能及的。

3,氮化鋁陶瓷基板多大尺寸

      氮化鋁陶瓷基板沒(méi)有FR4板可以做到很長(zhǎng)很大,尺寸相對(duì)比較小,一般氮化鋁陶瓷基板板料的最大尺寸是110mm*140mm,氮化鋁陶瓷基板屬于陶瓷基,容易碎,做太大太長(zhǎng)不符合基材的性質(zhì)特點(diǎn)。

IGBT陶瓷基板.JPG

4,氮化鋁陶瓷基板能耗和熱膨脹系數(shù)

      氮化鋁陶瓷基板介電損耗很低,在0.0002,加上熱膨脹系數(shù)也很低(4.6~5.2),介電損耗小,能耗小,耐高溫耐腐蝕,經(jīng)久耐用。

5,氮化鋁陶瓷基板介電常數(shù)

      氮化鋁陶瓷基板介電常數(shù)一般在9.0,比氧化鋁陶瓷基板介電常數(shù)低0..8,介電常數(shù)低,意味著品質(zhì)更優(yōu)。

6,氮化鋁陶瓷基板抗彎強(qiáng)度

      抗彎強(qiáng)度,是指材料抵抗彎曲不斷裂的能力,主要用于考察陶瓷等脆性材料的強(qiáng)度。氮化鋁陶瓷基板的折彎強(qiáng)度是450Mpa,氧化鋁陶瓷基板折彎強(qiáng)度是400Mpa,意味著氮化鋁陶瓷基板能夠承受更多的壓力和張力。

7,氮化鋁陶瓷基板硬度和斷裂韌性

      材料抵抗其它硬物壓入引起凹陷變形的能力。常用的硬度單位有布氏硬度(HB或BHN),維氏硬度(Hv或VHN),洛氏硬度(HRA、HRC或RHN)奴氏硬度(HK或KHN)。材料的表面硬度是其強(qiáng)度、比例極限、韌性、延展性及抗磨損、抗切割能力等多種性質(zhì)綜合作用的結(jié)果。氮化鋁陶瓷基板的斷裂韌性是3.0Mpa m1/2。

8,氮化鋁陶瓷基板的脆性和顏色、表面粗糙度

      氮化鋁陶瓷基板的脆性較高,雖然比氧化鋁陶瓷基板硬度更強(qiáng)一些,氧化鋁陶瓷基板板材是白色的,氮化鋁陶瓷基板呈灰白色。氮化鋁陶瓷基板的表面粗糙度一般要求在十牛以下。

二,氮化鋁陶瓷基板的應(yīng)用

1,氮化鋁陶瓷基板應(yīng)用范圍

氮化鋁粉末純度高,粒徑小,活性大,是制造高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。

氮化鋁陶瓷基片,熱導(dǎo)率高,膨脹系數(shù)低,強(qiáng)度高,耐高溫,耐化學(xué)腐蝕,電阻率高,介電損耗小,是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。

利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性,可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機(jī)耐蝕部件,利用其光學(xué)性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等

LED氮化鋁陶瓷基板.jpg

2,氮化鋁陶瓷基板在半導(dǎo)體應(yīng)用

      半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應(yīng)用需要器件具備較強(qiáng)的散熱能力和電器性能。

3,氮化鋁薄膜陶瓷電路基板的應(yīng)用實(shí)例

      AIN(氮化鋁)薄膜性能的特殊性和優(yōu)異性決定了其在多方面的應(yīng)用。氮化鋁薄膜陶瓷基板已經(jīng)被廣泛應(yīng)用作為電子器件和集成電路的封裝中隔離介質(zhì)和絕緣材料;作為工程LED中最為矚目的藍(lán)光、紫外發(fā)光材料,被人們大量的研究;AlN薄膜還是一種優(yōu)秀的熱釋電材料;用于氮化嫁與碳化硅等材料外延生長(zhǎng)的過(guò)渡層,SOI材料的絕緣埋層以及GHz級(jí)聲表面波器件壓電薄膜則是AlN薄膜今后具有競(jìng)爭(zhēng)力的應(yīng)用方向。氮化鋁薄膜陶瓷電路基板在實(shí)用案例如聲表面波器件(SAW)用壓電薄膜、高效紫外固體光原材料、場(chǎng)發(fā)射顯示器和微真空管、作為刀具涂層、

另外,AlN薄膜在光學(xué)膜、及散熱裝置中都有很好的應(yīng)用前景。AlN薄膜也可用于制作壓電材料、高導(dǎo)熱率器件、聲光器件、超紫外和X-ray探測(cè)器和真空集電極發(fā)射、MIS器件的介電材料、磁光記錄介質(zhì)的保護(hù)層。

以上是氮化鋁陶瓷基板性能參數(shù)以及氮化鋁陶瓷基板應(yīng)用以及實(shí)用案例,更多氮化鋁陶瓷基板的問(wèn)題可以咨詢金瑞欣特種電路,金瑞欣多年PCB行業(yè)經(jīng)驗(yàn),3年陶瓷基板PCB加制作經(jīng)驗(yàn),主營(yíng)氧化鋁陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板的加工,可以做精密線路、實(shí)銅填孔、做槽等制作。

 

 


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