氮化硅陶瓷基板為何受歡迎                     

      氮化硅基板在半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用非常多，核心是可以幫助半導(dǎo)體器件更好的散熱。另外由于經(jīng)常面臨顛簸、震動(dòng)等復(fù)雜的力學(xué)環(huán)境，基板材料也需一定的力學(xué)可靠性，氮化硅陶瓷基板各方面性能較平衡，是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。今天小編要分享的是氮化硅陶瓷基板為何受歡迎？

氮化硅陶瓷基板具備哪些優(yōu)勢(shì)？

氮化硅（Si₃N₄），核心元素是氮元素和硅元素，有著及其廣泛的應(yīng)用。

進(jìn)入智能化信息時(shí)代后，對(duì)電力電子器件還要求能夠?qū)﹄娔苓M(jìn)行變換和控制，由此便大大提升了器件的電控和功率轉(zhuǎn)換性能要求與運(yùn)行功耗，相應(yīng)的，普通的基板已無法滿足降低復(fù)雜功率器件熱阻、控制運(yùn)行溫度、保障可靠性的高要求，必須更換性能更優(yōu)的基板，新型功率陶瓷基板便應(yīng)運(yùn)而生。

 以下就是氮化硅陶瓷基板的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)：

 良好的絕緣性和抗電擊穿能力；

高的導(dǎo)熱率：導(dǎo)熱性直接影響半導(dǎo)體期間的運(yùn)行狀況和使用壽命，散熱性差導(dǎo)致的溫度場(chǎng)分布不均勻也會(huì)使電子器件噪聲大大增加；

熱膨脹系數(shù)與封裝內(nèi)其他其他所用材料匹配；

良好的高頻特性：即低的介電常數(shù)和低的介質(zhì)損耗；

表面光滑，厚度一致：便于在基片表面印刷電路，并確保印刷電路的厚度均勻。

氮化硅陶瓷基板和氧化鋁、氮化鋁陶瓷基板的區(qū)別？

氮化硅陶瓷。它的高導(dǎo)熱系數(shù)、高電流載荷，比較容易滿足第三代功率半導(dǎo)體器件的散熱需求，同時(shí)熱膨脹系數(shù)與大多數(shù)半導(dǎo)體材料匹配，電氣性能與機(jī)械性能也有不錯(cuò)的水平。

氧化鋁雖然導(dǎo)熱性能較差，無法跟上大功率半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢(shì)，但其制造工藝成熟，成本低，在中低端領(lǐng)域仍有很大的需求量。氮化鋁的導(dǎo)熱性能最好，與半導(dǎo)體材料有良好的匹配，可應(yīng)用于高端產(chǎn)業(yè)，只是力學(xué)性能較差，影響半導(dǎo)體器件壽命，使用成本較高。氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，但入門門檻很高，目前國(guó)內(nèi)很多科研單位和企業(yè)都在研究，但技術(shù)難度大，加工成本高，且市場(chǎng)較小，還未出現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用的契機(jī)，這也是許多企業(yè)還在觀望，未下定決心加大投入的原因。

氮化硅陶瓷基板已然適應(yīng)了第三代半導(dǎo)體行業(yè)的需求。

適應(yīng)第三代半導(dǎo)體，如氮化鎵、碳化硅等性能要求的大功率陶瓷基板材料中，綜合下來最有前途的材料就是：氮化硅陶瓷。它的高導(dǎo)熱系數(shù)、高電流載荷，比較容易滿足第三代功率半導(dǎo)體器件的散熱需求，同時(shí)熱膨脹系數(shù)與大多數(shù)半導(dǎo)體材料匹配，電氣性能與機(jī)械性能也有不錯(cuò)的水平。

綜合得出，氮化硅陶瓷基板要和第三代大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行配套，是一個(gè)比較復(fù)雜的系統(tǒng)工程，不僅需要大規(guī)模資金的配合還要進(jìn)行綜合技術(shù)的整合。更多陶瓷基板的詳情可以咨詢金瑞欣特種電路。