Amb是活性金屬釬焊技術，陶瓷電路板采用AMB工藝制作后具有更高的熱導率、銅層結合強度高等特點，而且其熱膨脹系數(shù)與硅接近，可應用于高電壓操作且沒有局部放電現(xiàn)象。目前采用amb陶瓷制作工藝的是氮化鋁陶瓷和氮化硅陶瓷，經過加工制作線路和打孔后分別稱為AMB氮化鋁陶瓷電路板和AMB氮化硅陶瓷電路板。

AMB氮化鋁陶瓷電路板和AMB氮化硅陶瓷電路板的區(qū)別

AMB氮化鋁陶瓷電路板采用的是氮化鋁陶瓷基板作為基材，AMB氮化硅陶瓷電路板則是采用氮化硅陶瓷基板作為基材，兩者的性能和應用有差異。

一，氮化鋁陶瓷陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板性能和應用

氮化鋁陶瓷陶瓷基板的性能和應用

氮化鋁（AlN）陶瓷基板是一種新型的基片材料，具有優(yōu)異的電性能和熱性能，被認為是最有發(fā)展前途的高導熱陶瓷基片。AlN陶瓷具有高熱導率（理論熱導率280W/m/K）、低介電常數(shù)（約為8.8）、與Si相匹配的熱膨脹系數(shù)（293K-773K，4.8×10-6K-1）、高電阻率（>1014Ω?cm）和高擊穿場強（1.4×107V/cm）、低比重（理論密度3.26g/cm3）、高機械強度（抗彎強度300-400MPa）、無毒等特點，成為高密度、大功率和高速集成電路基板和封裝的理想材料，在國防、航空航天、通訊、微電子等領域內應用前景十分廣闊。

氮化硅陶瓷基板板材的性能和應用

氮化硅陶瓷基板導熱率75-80W/(m·K），導熱確實比不上氮化鋁陶瓷基板，但是氮化硅陶瓷基板彎曲強度是氮化鋁陶瓷基板的 2-3 倍，可以提高氮化硅陶瓷覆銅板強度和抗沖擊能力，焊接更厚的無氧銅而不會產生瓷裂現(xiàn)象，提高了基板的可靠性

通過與厚銅基板的覆接，其熱導率是氧化鋁陶瓷基板 3-4 倍，大幅提高基板的散熱性能；基板承載電流能力更強、基板整體散熱性能更好、熱阻更低、耐溫度沖擊能力更強。氮化硅陶瓷基板具有高強度、高導熱、高可靠的特點，可用濕法刻蝕工藝在表面制作電路，經表面鍍覆后制得的一種用于高可靠性電子基板模塊封裝的基板材料，是新型電動汽車功率控制模塊的首選基板材料。產品在功率型發(fā)射器、光伏器件，IGBT 模塊，功率型晶閘管、諧振器基座、半導體封裝載板等大功率光電及半導體器件領域有廣泛用途。

      二 AMB氮化鋁陶瓷電路板和AMB氮化硅陶瓷電路板的區(qū)別

AMB氮化鋁陶瓷電路板導熱率比AMB氮化硅陶瓷電路板更高，但是AMB氮化硅

陶瓷電路板抗彎曲強度更強，是氮化鋁陶瓷基板的 2-3 倍。因為這些突出的特點也決定了他們各自突出的行業(yè)應有優(yōu)勢。

      以上是小編講述的 AMB氮化鋁陶瓷電路板和AMB氮化硅陶瓷電路板的區(qū)別，相信您對這兩種陶瓷電路板的區(qū)別和特性以及應有有了較清楚的認識，企業(yè)可以更加產品性能需要選擇合適的陶瓷電路板，更多詳情可以咨詢金瑞欣特種電路。