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Si3N4-AMB陶瓷基板熱導(dǎo)率高于90W/mk,厚銅層具有較高熱容量以及傳熱性,同時(shí)AMB工藝可將厚銅金屬(800μm)焊接到相對(duì)較薄的氮化硅陶瓷上,形成高載流能力;
2023-02-27 http://www.45rr.cn/Article/danhuaguiAMBjibanxin.html
氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程 氮化硅陶瓷基板能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優(yōu)勢(shì)在新能源汽車方面?zhèn)涫軞g迎,能起到提速、增加續(xù)航里程、汽車輕量化的目的;同時(shí)氮化硅AMB陶瓷基板還是SiC器件封裝基板的首選,傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求,DBC基板和氮化硅器件,在高溫過程中容易產(chǎn)生熱應(yīng)力,導(dǎo)致銅層剝離,采用氮化硅AMB陶瓷基板能夠小避免。本文要闡述的是氮化硅AMB陶瓷基板的特點(diǎn)以及制備流程。 一,氮化硅AMB陶瓷基板的特點(diǎn)Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性,將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶瓷板上。通過活性金屬釬焊(AMB
2022-10-19 http://www.45rr.cn/Article/danhuaguiAMBtaocijib.html
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