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摘要:針對(duì)越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題,主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對(duì)影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述,最后總結(jié)了高熱導(dǎo)率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢(shì)。引言 隨著我國(guó)高鐵、航天、軍工等領(lǐng)域的快速發(fā)展,未來對(duì)大功率電力電子器件的需求也將越來越大。為了適應(yīng)更加復(fù)雜、苛刻的應(yīng)用條件,大功率電力電子器件朝著高溫、高頻、低功耗以及智能化、模塊化、系統(tǒng)化方向發(fā)展,這對(duì)整個(gè)電子器件的散熱提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),而功率器件中基板的作用是吸收,芯片產(chǎn)生的熱量,并傳到熱沉上,實(shí)現(xiàn)與外界的熱交換 ,所以制備高熱導(dǎo)率基板材料成為研發(fā)大功率模塊電子產(chǎn)品的關(guān)鍵所在。例如目前大功率 LED 的發(fā)光效率僅有
2022-12-09 http://www.45rr.cn/Article/gaodaorelvdanhuaguis.html
針對(duì)越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題,主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對(duì)影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述,最后總結(jié)了高熱導(dǎo)率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢(shì)。
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