專注陶瓷電路板研發(fā)生產(chǎn)
樣板、中小批量陶瓷pcb線路板,24小時(shí)加急定制
全國(guó)定制熱線
4000-806-106
當(dāng)前位置:首頁 »全站搜索 » 搜索:氮化硅(Si3N4)-A
氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程 氮化硅陶瓷基板能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優(yōu)勢(shì)在新能源汽車方面?zhèn)涫軞g迎,能起到提速、增加續(xù)航里程、汽車輕量化的目的;同時(shí)氮化硅AMB陶瓷基板還是SiC器件封裝基板的首選,傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求,DBC基板和氮化硅器件,在高溫過程中容易產(chǎn)生熱應(yīng)力,導(dǎo)致銅層剝離,采用氮化硅AMB陶瓷基板能夠小避免。本文要闡述的是氮化硅AMB陶瓷基板的特點(diǎn)以及制備流程。 一,氮化硅AMB陶瓷基板的特點(diǎn)Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性,將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶瓷板上。通過活性金屬釬焊(AMB
2022-10-19 http://www.45rr.cn/Article/danhuaguiAMBtaocijib.html
氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展 隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高,器件對(duì)于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper,DBC)陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成,銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料,在高溫服役過程中,往往會(huì)因?yàn)殂~和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力,從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離,因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性,將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶
2022-09-13 http://www.45rr.cn/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
? 2018 深圳市金瑞欣特種電路技術(shù)有限公司版權(quán)所有 技術(shù)支持:金瑞欣