碳化硅（SiC）器件生產(chǎn)工藝和技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，目前市場(chǎng)推廣最大的障礙是成本。包括研發(fā)和生產(chǎn)成本以及應(yīng)用中碳化硅器件代換IGBT后整個(gè)電路中的驅(qū)動(dòng)電容電阻的成本。除非生產(chǎn)商主推，而且的確能降低成本提高性能。畢竟采用新東西會(huì)付出很大代價(jià)的。受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，目前阻礙SiC產(chǎn)品大規(guī)模進(jìn)入市場(chǎng)的主要原因是價(jià)格昂貴，一般是同類Si產(chǎn)品的10倍左右。雖然說(shuō)未來(lái)隨著技術(shù)改進(jìn)和成本下降，碳化硅（SiC）器件取代IGBT是必然，碳化硅（SiC）器件性能上可能是很厲害，但真能成為大勢(shì)不光要性能上，還要成本上，可靠性上多重保證才行。