在電子產(chǎn)品LED照明方面陶瓷基板的使用量是非常大的，陶瓷基板pcb都是用什么材料封裝的呢？

一，SiC陶瓷基片

SiC陶瓷的熱導(dǎo)率很高，室溫下為100——490W/（m·K），且與SiC結(jié)晶的純度有關(guān)，純度越高，熱導(dǎo)率越大；抗氧化性能好，分解溫度在2500℃以上，在氧化氣氛中1600℃仍可以使用；熱膨脹系數(shù)也較低而且與Si較接近，電絕緣性能良好；SiC硬度為莫氏硬度9.75,僅次于金剛石和立方BN,機(jī)械強(qiáng)度高。SiC陶瓷有很強(qiáng)的共價(jià)鍵特性，較難燒結(jié)，通常添加少量的硼或鋁的氧化物作為助燒劑來提高致密度。實(shí)驗(yàn)表明，鈹、硼、鋁及其化合物均是最有效的添加劑，可使SiC陶瓷致密度達(dá)到98%以上。

二 ，氧化鋁陶瓷板多使用三氧化二鋁陶瓷基片

Al2O3陶瓷一般是指以Al2O3為主要原料、α-Al2O3為主晶相、Al2O3含量在75%以上的各種陶瓷，它具有原料來源豐富、價(jià)格低廉、機(jī)械強(qiáng)度和硬度較高、絕緣性能良好、耐熱沖擊性能、抗化學(xué)侵蝕性能良好、尺寸精度高、與金屬附著力好等優(yōu)點(diǎn)，是一種綜合性能較好的陶瓷基片材料。

目前使用的Al2O3陶瓷基片大多采用多層基片，Al2O3的含量占85%——99.5%。其中96%Al2O3陶瓷基板廣泛用于生產(chǎn)如厚膜電路基片、片式器件等。Al2O3室溫下的熱導(dǎo)率為29W/（m·K），與鋼鐵的熱導(dǎo)率接近；隨著氧化鋁含量的提高，氧化鋁陶瓷基片的熱導(dǎo)率有較大的提升，隨著Al2O3含量的升高，Al2O3陶瓷基片的電絕緣性能、熱導(dǎo)率等都會(huì)有所提高，但同時(shí)也會(huì)導(dǎo)致燒成溫度上升，能源消耗增加，窯具損耗大，制造成本增加。

三，BeO陶瓷基片

BeO具有釬鋅礦結(jié)構(gòu)，其中氧離子按六方密堆積方式排列形成六方晶格。一般的氧化物通常為離子化合物，而BeO卻具有很強(qiáng)的共價(jià)鍵且平均分子量只有12,這些因素使得它具備高熱導(dǎo)率的條件，其禁帶寬度達(dá)10.6eV,絕緣性強(qiáng)，具有壓電性質(zhì)、發(fā)光和光化學(xué)性能、高機(jī)械強(qiáng)度、低介電損耗等，成為人們關(guān)注的材料之一。

陶瓷材料——AlN陶瓷基片

AlN陶瓷材料是一種新型高熱導(dǎo)率陶瓷封裝材料，20世紀(jì)90年代開始得到廣泛地研究而逐步發(fā)展起來，是目前普遍認(rèn)為很有發(fā)展前景的電子陶瓷封裝材料。AlN材料熱導(dǎo)率很高、介電性能優(yōu)良、電絕緣強(qiáng)度高、化學(xué)性能穩(wěn)定、抗腐蝕能力強(qiáng)、機(jī)械性能好，尤其是它的熱膨脹系數(shù)與硅較匹配等特點(diǎn)使其能夠作為理想的半導(dǎo)體封裝基板材料，在集成電路、微波功率器件、毫米波封裝、高溫電子封裝等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。

陶瓷基片材料為了滿足電子系統(tǒng)小型化、低成本及可靠性與電性能提高的市場要求，電子封裝技術(shù)將得到進(jìn)一步的提高。在高致密封裝和集成電路封裝中，陶瓷基片材料仍有很大的發(fā)展空間。開發(fā)可靠性好，散熱性優(yōu)良、價(jià)格適宜的多層陶瓷基片封裝是發(fā)展重點(diǎn)。更多陶瓷基板pcb打樣和批量生產(chǎn)的需求可以咨詢金瑞欣特種電路官網(wǎng)。