如何燒結制備氮化鋁陶瓷基板

氮化鋁陶瓷基板是電子信息行業(yè)中大規(guī)模集成電路封裝、散熱基板用關鍵材料，在國計民生的各行各業(yè)擁有廣泛的應用領域，如國家鼓勵實施的集成電路升級、LED照明、電子及微電子封裝、功率封裝，如晶閘管、整流管等；包括大功率器件、電力電子器件；汽車電子的IGBT及MOSFET功率模塊封裝等。作為新型功能材料，氮化鋁廣泛應用于軍事和空間技術通訊、計算機、儀器儀表工業(yè)、電子設備、汽車、日用家電、辦公自動化等各個領域。如何燒結制備氮化鋁陶瓷基板是一個非常值得關注的問題。今天小編就來闡述有一下。

一，不同溫度和燒結環(huán)境中，氮化鋁陶瓷基板平整度表現不同

氮化鋁陶瓷基板在燒結過程中，會受到生坯中含有的氧雜質影響，熱導率不能穩(wěn)定控制在170W/m·K以上，而且會產生不同程度的變形，表面不平整，通常平整度合格率低于90%。要得到表面平整的陶瓷基板，需要采用打磨或研磨的方式進行加工，這不僅需要去除0.2-0.3mm厚度的表面，而且容易造成基板破碎，降低成品率。

將排膠后的氮化鋁生坯產品放入燒結爐內燒結，燒結溫度為1820℃，用除塵設備除去燒結后的氮化鋁基板表面的隔粘粉。該方法是常規(guī)的燒結方法，其產品的平整度合格率很難控制，通常低于90%。

將含有氮化鋁粉末的原料在壓力150Pa以下加熱到1500℃，再利用非氧化性氣體，在壓力為0.4MPa以上的加壓氣氛下升溫到1700～1900℃并進行保持，然后以10℃/分鐘以下的冷卻速度冷卻到1600℃。單純加壓氣氛下燒結的氮化鋁陶瓷基板的熱導率，很難穩(wěn)定控制在170W/m·K以上。

在高溫箱式電爐中，對疊好的生膜片進行排膠和燒結；其排膠溫度控制在600℃以下，排膠升溫速率小于或等于0.5℃/min；所述燒結是：600℃至峰值溫度Tmax，燒結升溫速率為0.5～3℃/min，其中峰值溫度Tmax視陶瓷料而定，峰值溫度的保溫時間1～5h。該方法也屬于常規(guī)的燒結方法，其產品的平整度合格率很難控制，通常低于90%。

采用自蔓延粉體制備高導熱氮化鋁陶瓷的方法，陶瓷基片的制備過程中燒結溫度為1830～1890℃，燒結時間為8～12h。燒結所用的氣氛為氫氣與氮氣混合氣體，所述氫氣與氮氣的流速比為1：2～1：1。CN107986794A所述其特征是將經過排完膠的生坯置入氮氣爐中，控制燒結時間為2～24小時，控制最高燒結溫度為1700～1900℃，控制燒結時間為4～6小時。該方法采用的自蔓延粉體即使經過其專利中的預處理，也很難控制基板熱導率穩(wěn)定在170W/m·K以上。

一種高導熱陶瓷材料及其制造方法中，公開了一種采用氮氣氣氛保護下進行燒結的方法，該方法中使將氮氣作為保護氣體充滿爐膛內，仍然存在爐膛內殘留大量氧雜質而影響物料的問題。

二，能保障導熱率又能提高合格率的氮化鋁陶瓷基板燒結方法。

一種氮化鋁陶瓷基板的燒結方法，在基板燒結過程中，使用惰性氣體對爐膛內的氣氛進行置換。

燒結方法采用可控的氮氣保護氣氛，并定期置換爐內氣氛，調整石墨燒結爐的爐膛壓力和爐內化學物質氣氛，排出雜質氣氛，控制氮化鋁陶瓷基板的熱導率和提升基板的平整度。這種生產加工的基板的熱導率可以穩(wěn)定控制在170W/m·K以上，基板平整度合格率為95%以上。 

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