關(guān)于圍壩陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和制備方法

圍壩陶瓷基板要叫圍壩陶瓷線路板，有一定的工藝難度，板子相對比較復(fù)雜，周期也較長。但是圍壩陶瓷基板封裝在大功率方面應(yīng)用很受歡迎，今天小編就分享一下圍壩陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和制備方法。

圍壩陶瓷基板制質(zhì)方法和陶瓷線路板結(jié)構(gòu)

帶圍壩的陶瓷基板制備方法及陶瓷線路板結(jié)構(gòu),首先制備陶瓷線路板和圍壩,然后在陶瓷線路板上形成第一金屬鍵合層,在圍壩上形成第二金屬鍵合層,最后將陶瓷線路板上的第一金屬鍵合層與圍壩上的第二金屬鍵合層接觸并進行鍵合操作,形成帶圍壩的陶瓷線路板.本發(fā)明摒棄了有機粘連劑,且無需焊料進行連接,采用鍵合技術(shù)通過金屬鍵合層來連接圍壩和陶瓷線路板,提高了粘連強度和散熱能力,從而提高了封裝產(chǎn)品的可靠性,降低了封裝的工藝難度,大大提高的芯片的使用壽命和環(huán)境適應(yīng)度。

可以減緩內(nèi)應(yīng)力的圍壩結(jié)構(gòu)

減緩內(nèi)應(yīng)力的圍壩結(jié)構(gòu),包括陶瓷基板,所述陶瓷基板具有上下貫穿的通孔,于該陶瓷基板的正面,反面和通孔中均設(shè)置導(dǎo)通的導(dǎo)電線路,所述陶瓷基板正面設(shè)有金屬圍壩,該金屬圍壩包圍于導(dǎo)電線路的外周,所述金屬圍壩具有外側(cè)壁,頂部,內(nèi)側(cè)壁,于外側(cè)壁開設(shè)凹槽,使所述金屬圍壩的壩體對應(yīng)該凹槽的位置變薄.依據(jù)力學(xué)原理,開槽后金屬圍壩的應(yīng)力增大,因此開設(shè)凹槽后將作用力的匯集點A分散,避免從A點開始剝離,從而保證了支架的使用壽命.

金屬圍壩的DPC陶瓷基板結(jié)構(gòu)

金屬圍壩的DPC陶瓷基板結(jié)構(gòu),包括基板,所述基板的前表面均勻設(shè)置有多個金屬圍壩,所述基板的內(nèi)部對稱設(shè)置有兩個矩形座,且基板的內(nèi)部對稱開設(shè)有兩個與矩形座相適配的條形滑道,所述矩形座的內(nèi)部開設(shè)有預(yù)留螺栓孔,所述矩形座的兩側(cè)表面對稱設(shè)有一體式的滑塊;通過將矩形座的位置設(shè)置為可調(diào)式的,使得矩形座內(nèi)部的預(yù)留螺栓孔位置可以根據(jù)實際情況靈活的進行調(diào)整,從而大幅度提升基板的安裝便利度,避免原裝置因預(yù)留螺栓孔位置無法調(diào)整,導(dǎo)致基板安裝過程較為局限的問題,而通過設(shè)置弧形金屬撐腳,使得基板安裝完畢后會與與外界設(shè)備內(nèi)壁之間存在一定的間隙,從而便于后續(xù)使用過程中的散熱.

金屬圍壩的DPC陶瓷基板制備方法

金屬圍壩的DPC陶瓷基板制備方法,包括有以下步驟:(1)制作好陶瓷基板和圍壩;(2)在陶瓷基板上鍍上熔點為240℃400℃合金材料而形成第一焊接層,并在圍壩的外表面鍍上熔點為240℃400℃合金材料而形成第二焊接層;(3)在第一焊接層的表面覆蓋一層助焊劑或焊料而形成連接層,將圍壩置于陶瓷基板上,使得第二焊接層疊于連接層的表面,從而形成半成品;(4)將半成品過回流焊,并在惰性氣體的保護下,溫度控制在240℃400℃之間,使得第一焊接層和第二焊接層熔接在一起;(5)取出冷卻即可形成成品.本發(fā)明方法可在240℃400℃的低溫環(huán)境下進行,有效避免了高溫對產(chǎn)品品質(zhì)的影響,工藝簡單,既節(jié)能,又便于批量化生產(chǎn)。

改進型帶金屬圍壩的陶瓷封裝基板

改進型帶金屬圍壩的陶瓷封裝基板,包括有陶瓷基板以及金屬圍壩;該陶瓷基板的背面設(shè)置有彼此隔絕分開的連接正極線路和連接負極線路,該陶瓷基板的正面設(shè)置有第一串并聯(lián)線路,第二串并聯(lián)線路,正極焊盤和負極焊盤;陶瓷基板的正面和背面貫穿形成第一導(dǎo)通孔,第二導(dǎo)通孔,第三導(dǎo)通孔和第四導(dǎo)通孔;通過將第一串并聯(lián)線路,第二串并聯(lián)線路,正極焊盤和負極焊盤均設(shè)置于陶瓷基板的表面,并配合在陶瓷基板的背面設(shè)置連接正極線路和連接負極線路,同時利用各個導(dǎo)通孔導(dǎo)通連接對應(yīng)的線路和焊盤,其結(jié)構(gòu)簡單,制作方便,并可滿足使用要求。

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