當(dāng)前位置:首頁(yè) ? 常見(jiàn)問(wèn)題 ? 氮化鋁陶瓷基板價(jià)格如何?為什么這么貴呢?
文章出處:常見(jiàn)問(wèn)題 責(zé)任編輯:pcb線(xiàn)路板|深圳市金瑞欣特種電路技術(shù)有限公司 閱讀量:- 發(fā)表時(shí)間:2019-12-17
眾所周知氮化鋁陶瓷基板價(jià)格在PCB板中價(jià)格比較高,是普通PCB板的8~10倍以上。氮化鋁陶瓷基板的價(jià)格怎么樣?為什么這么貴呢?
氮化鋁陶瓷基板主要是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷做的基板,AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物,具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu),屬六方晶系?;瘜W(xué)組成 AI 65.81%,N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,單晶無(wú)色透明,常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)(4.0-6.0)X10-6/℃。多晶AIN熱導(dǎo)率達(dá)260W/(m.k),比氧化鋁高5-8倍,所以耐熱沖擊好,能耐2200℃的極熱。此外,氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性,特別是對(duì)熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。氮化鋁陶瓷基板主要用于制造高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料;大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料;制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。
和結(jié)晶狀態(tài)有關(guān),氮化鋁單晶的理論導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá)275W/(m·K),也有部分資料說(shuō)是是320W/(m·K);聚晶體的導(dǎo)熱系數(shù) 70~210 W/(m·K),高導(dǎo)熱氮化鋁墊片,導(dǎo)熱系數(shù):180W/M.K,性能接近鋁散熱器,但其絕緣性能耐壓:12KV,耐溫1000度以上,是理想的大功率晶體管,IGBT絕緣導(dǎo)熱零件首選,目前應(yīng)當(dāng)主要在航天航空等特殊性要求高導(dǎo)熱散熱產(chǎn)品內(nèi)使用,其相普通材料比價(jià)格昂貴。
氮化鋁陶瓷基板擁有高電絕緣性,介電常數(shù)小。介電常數(shù)越低,pcb的插損也越小.常用的PCB介質(zhì)是FR4材料的,相對(duì)空氣的介電常數(shù)是4.2-4.7。
氮化鋁陶瓷基板介電常數(shù)小,這個(gè)介電常數(shù)是會(huì)隨溫度變化的,在0-70度的溫度范圍內(nèi),其最大變化范圍可以達(dá)到20%。介電常數(shù)的變化會(huì)導(dǎo)致線(xiàn)路延時(shí)10%的變化,溫度越高,延時(shí)越大。介電常數(shù)還會(huì)隨信號(hào)頻率變化,頻率越高介電常數(shù)越小.以氮化鋁為主成分的陶瓷。屬六方晶系。氮化鋁在2450℃下升華分解,理論密度為3.26g/cm3。熱壓制品具有良好的物理化學(xué)性能:熱膨脹系數(shù)低(4.2×10-6℃-1),導(dǎo)熱系數(shù)高[0.31J/(cm·s·℃)],能耐20~2200℃的急冷急熱,還具有耐熔融鋁、砷化鎵的侵蝕。在空氣中于700℃開(kāi)始氧化,介電常數(shù)為8.8,電阻率2×1011Ω·cm,是良好的電絕緣體。介質(zhì)損耗角正切值4×10-4。電阻率大于1012Ω·cm。良好的耐熱震性和電絕緣性。采用氮與鋁元素直接合成法,鋁的氧化物與石墨的通氮還原合成法,以及鋁的鹵化物與氮反應(yīng)的熱解法等制出氮化鋁化合物。然后,加入少量添加劑,如氧化釔、氧化鈣等,經(jīng)高溫通氮燒結(jié)或熱壓燒結(jié)制得。致密燒結(jié)制品是大規(guī)模集成電路基板和可控硅外殼的優(yōu)質(zhì)材料,能耐2200℃的急冷急熱。也可用作高溫耐腐蝕材料、高溫高強(qiáng)度結(jié)構(gòu)材料和電絕緣材料。高純度的氮化鋁坩堝和舟皿適合于熔制半導(dǎo)體物質(zhì),特別適用于熔制砷化鎵、磷化鎵等。另外,由于它的高熱導(dǎo)率和與Si相匹配的熱膨脹系數(shù),可作高密度封裝用基片。這個(gè)也是氮化鋁陶瓷基板價(jià)格高的重要原因。
氮化鋁陶瓷基板制成成本一直較高,氮化鋁陶瓷基板也是氮化鋁陶瓷沒(méi)有像氧化鋁陶瓷基板大量使用的一個(gè)重要方面,但是現(xiàn)在科技的發(fā)達(dá),對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量性能要求更強(qiáng),氮化鋁陶瓷基板具有不可替代性。氮化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱性和絕緣性以及較小的介電常數(shù)、制作難度較為普通的pcb板大,因而氮化鋁陶瓷基板相對(duì)會(huì)比較貴。
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