HTCC高溫共燒陶瓷燒制流程和材料            

20世紀(jì)80年代初商業(yè)化的主計(jì)算機(jī)的電路板多層基板是用氧化鋁絕緣材料和導(dǎo)體材料（Mo、W、Mo-Mn）在1600°C的高溫下共燒的，也就是高溫共燒陶瓷（HTCC）。

高溫共燒陶瓷(HTCC)通過在每層生瓷片上打孔、填充金屬漿料和印刷，最后疊加在一起形成多層導(dǎo)體互連的基板。其具有機(jī)械強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定及布線密度高等優(yōu)點(diǎn)。

一，HTCC高溫共燒流程

粉體制備---研磨、混料、流延--切片--打孔--填孔--印刷電級-疊層-等靜壓-切割-排膠-燒結(jié)-外電機(jī)儲備-外電機(jī)燒結(jié)-外電機(jī)電鍍-測試。

高溫共燒陶瓷(HTCC)通過在每層生瓷片上打孔、填充金屬漿料和印刷，最后疊加在一起形成多層導(dǎo)體互連的基板。其具有機(jī)械強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定及布線密度高等優(yōu)點(diǎn)。

常用的HTCC陶瓷基板體系有質(zhì)量分?jǐn)?shù)為90%～95%的Al2O3和AlN等，其中Al2O3工藝最為成熟，應(yīng)用最廣；AlN在熱性能和電性能方面優(yōu)于Al2O3，但存在工藝難度大、燒結(jié)溫度高、材料成本高等問題。由于采用的是Al2O3和AlN材料，HTCC陶瓷基板燒結(jié)溫度為1400～1500℃，其具有機(jī)械強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定及布線密度高等優(yōu)點(diǎn)。

二，HTCC共燒技術(shù)的材料都有哪些？

HTCC技術(shù)的金屬化材料一般以熔點(diǎn)高的金屬W、Mo和Mn等為主，然而這類金屬有導(dǎo)電性較差的缺點(diǎn)，需要在該金屬表面鍍Ni和Au來降低傳輸損耗以及起到保護(hù)電路的作用。

由于HTCC具有機(jī)械強(qiáng)度較高、散熱系數(shù)較高、材料成本較低、化學(xué)性能穩(wěn)定、布線密度高德等特點(diǎn)，HTCC已被廣泛應(yīng)用于高可靠性微電子集成電路、大功率微組裝電路、車載大功率電路等領(lǐng)域。

高溫共燒HTCC陶瓷材料：氧化鋁、氮化鋁、莫來石等，金屬材料：鎢、鉬、錳、鉬-錳等。共燒的溫度2685℃~1850℃。

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